ALD114913PAL 数据表
规格 ALD114913PAL
零件号 :
ALD114913PAL
制造商 :
Advanced Linear Devices Inc.
描述 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
系列 :
EPAD®
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET特点 :
Depletion Mode
漏极至源极电压（Vdss） :
10.6V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
12mA, 3mA
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
500 Ohm @ 2.7V
VGS（TH）（最大）标识 :
1.26V @ 1µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
2.5pF @ 5V
功率 - 最大 :
500mW
工作温度 :
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
封装/箱体 :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备封装 :
8-PDIP
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-ALD114913PAL
简要描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
121530 件
参考价
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