APTM10HM09FT3G 数据表
规格 APTM10HM09FT3G
零件号 : APTM10HM09FT3G
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 139A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 2.5mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 350nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 9875pF @ 25V
功率 - 最大 : 390W
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : SP3
供应商设备封装 : SP3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9152 件
参考价
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