AUIRF1018E 数据表
规格 AUIRF1018E
零件号 : AUIRF1018E
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
系列 : HEXFET®
零件状态 : Not For New Designs
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 79A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 100µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 69nC @ 10V
VGS（最大） : -
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2290pF @ 50V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 110W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : TO-220AB
封装/箱体 : TO-220-3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-AUIRF1018E
简要描述
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
368440 件
参考价
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