CSD25304W1015 数据表
规格 CSD25304W1015
零件号 : CSD25304W1015
制造商 : Texas Instruments
描述 : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
系列 : NexFET™
零件状态 : Active
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 3A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 1.8V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.15V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 4.4nC @ 4.5V
VGS（最大） : ±8V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 595pF @ 10V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 750mW (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 6-DSBGA
封装/箱体 : 6-UFBGA, DSBGA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2395525 件
参考价
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