CSD86356Q5DT 数据表
规格 CSD86356Q5DT
零件号 : CSD86356Q5DT
制造商 : Texas Instruments
描述 : SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
系列 : NexFET™
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : Logic Level Gate, 5V Drive
漏极至源极电压（Vdss） : 25V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 40A (Ta)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
功率 - 最大 : 12W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : 8-VSON-CLIP (5x6)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-CSD86356Q5DT
简要描述
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
247405 件
参考价
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