DMJ70H900HJ3 数据表
规格 DMJ70H900HJ3
零件号 : DMJ70H900HJ3
制造商 : Diodes Incorporated
描述 : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
系列 : Automotive, AEC-Q101
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 700V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 7A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 18.4nC @ 10V
VGS（最大） : ±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 603pF @ 50V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 68W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : TO-251
封装/箱体 : TO-251-3, IPak, Short Leads
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-DMJ70H900HJ3
简要描述
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
323020 件
参考价
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