DMN61D8LQ-7 数据表
规格 DMN61D8LQ-7
零件号 :
DMN61D8LQ-7
制造商 :
Diodes Incorporated
描述 :
MOSFET N-CH 60V SOT23
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
470mA (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
3V, 5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
VGS（TH）（最大）标识 :
2V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
0.74nC @ 5V
VGS（最大） :
±12V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
12.9pF @ 12V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
390mW (Ta)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
SOT-23
封装/箱体 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-DMN61D8LQ-7
简要描述
MOSFET N-CH 60V SOT23
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2454625 件
参考价
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