EPC2032 数据表
规格 EPC2032
零件号 : EPC2032
制造商 : EPC
描述 : GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） : 100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 48A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 4 mOhm @ 30A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 11mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 15nC @ 5V
VGS（最大） : +6V, -4V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1530pF @ 50V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : Die
封装/箱体 : Die
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-EPC2032
制造商
简要描述
GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
115580 件
参考价
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