FDV302P-NB8V001 数据表
规格 FDV302P-NB8V001
零件号 : FDV302P-NB8V001
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
系列 : -
零件状态 : Discontinued at Digi-Key
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 25V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 120mA (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 2.7V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.31nC @ 4.5V
VGS（最大） : -8V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 11pF @ 10V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 350mW (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : SOT-23
封装/箱体 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
16216 件
参考价
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