FQI12N60CTU 数据表
规格 FQI12N60CTU
零件号 : FQI12N60CTU
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
系列 : QFET®
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 12A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 650 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 63nC @ 10V
VGS（最大） : ±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2290pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 3.13W (Ta), 225W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : I2PAK (TO-262)
封装/箱体 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-FQI12N60CTU
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
70910 件
参考价
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