GA05JT12-263 数据表
规格 GA05JT12-263
零件号 : GA05JT12-263
制造商 : GeneSiC Semiconductor
描述 : TRANS SJT 1200V 15A
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : -
技术 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压（Vdss） : 1200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 15A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : -
VGS（TH）（最大）标识 : -
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -
VGS（最大） : -
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 106W (Tc)
工作温度 : 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : D2PAK (7-Lead)
封装/箱体 : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-GA05JT12-263
简要描述
TRANS SJT 1200V 15A
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
48870 件
参考价
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