GSID150A120S3B1 数据表
规格 GSID150A120S3B1
零件号 : GSID150A120S3B1
制造商 : Global Power Technologies Group
描述 : SILICON IGBT MODULES
系列 : Amp+™
零件状态 : Active
IGBT类型 : -
组态 : 2 Independent
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 300A
功率 - 最大 : 940W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2V @ 15V, 150A
电流 - 集电极截止（最大） : 1mA
输入电容（连锁商店）@的Vce : 14nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : No
工作温度 : -40°C ~ 150°C
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : D-3 Module
供应商设备封装 : D3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
SILICON IGBT MODULES
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
8616 件
参考价
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