规格 H7N1002LS-E

零件号 : H7N1002LS-E
制造商 : Renesas Electronics America
描述 : MOSFET N-CH 100V LDPAK
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 75A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 10 mOhm @ 37.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : -
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 155nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 9700pF @ 10V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 100W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 4-LDPAK
封装/箱体 : SC-83
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 100V LDPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
52746 件
参考价
USD 0
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