IPB032N10N5ATMA1 数据表
规格 IPB032N10N5ATMA1
零件号 : IPB032N10N5ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
系列 : OptiMOS™
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 166A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 6V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3.2 mOhm @ 83A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 3.8V @ 125µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 95nC @ 10V
VGS（最大） : ±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 6970pF @ 50V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 187W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PG-TO263-7
封装/箱体 : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
146635 件
参考价
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