IPG15N06S3L-45 数据表
规格 IPG15N06S3L-45
零件号 : IPG15N06S3L-45
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
系列 : OptiMOS™
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 55V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 15A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 45 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.2V @ 10µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 20nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1420pF @ 25V
功率 - 最大 : 21W
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerVDFN
供应商设备封装 : PG-TDSON-8-4
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
27538 件
参考价
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