规格 IPG20N06S2L50ATMA1
零件号 :
IPG20N06S2L50ATMA1
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列 :
OptiMOS™
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） :
55V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
20A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
50 mOhm @ 15A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
2V @ 19µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
17nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
560pF @ 25V
功率 - 最大 :
51W
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
8-PowerVDFN
供应商设备封装 :
PG-TDSON-8-4
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
925360 件
参考价
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IC CPLD 512MC 10NS 144TQFP |