IRF5852TR 数据表
规格 IRF5852TR
零件号 : IRF5852TR
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
系列 : HEXFET®
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2.7A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.25V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 6nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 400pF @ 15V
功率 - 最大 : 960mW
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装 : 6-TSOP
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-IRF5852TR
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
26152 件
参考价
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