IRF6706S2TR1PBF 数据表
规格 IRF6706S2TR1PBF
零件号 : IRF6706S2TR1PBF
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
系列 : HEXFET®
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 25V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 17A (Ta), 63A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3.8 mOhm @ 17A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.35V @ 25µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 20nC @ 4.5V
VGS（最大） : ±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1810pF @ 13V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 1.8W (Ta), 26W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : DIRECTFET S1
封装/箱体 : DirectFET™ Isometric S1
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
53076 件
参考价
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