IRF9Z34NL 数据表
规格 IRF9Z34NL
零件号 :
IRF9Z34NL
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
系列 :
HEXFET®
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
P-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
55V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
19A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
100 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
35nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
620pF @ 25V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
TO-262
封装/箱体 :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-IRF9Z34NL
简要描述
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
63585 件
参考价
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