IRG7CH37K10EF 数据表
规格 IRG7CH37K10EF
零件号 :
IRG7CH37K10EF
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
IGBT CHIP WAFER
系列 :
-
零件状态 :
Active
IGBT类型 :
-
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
15A
电流 - 集电极脉冲（ICM） :
-
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 :
2.3V @ 15V, 15A
功率 - 最大 :
-
开关能量 :
-
输入类型 :
Standard
栅极电荷 :
80nC
TD（开/关）@ 25℃ :
28ns/122ns
测试条件 :
600V, 15A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） :
-
工作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
Die
供应商设备封装 :
Die
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IGBT CHIP WAFER
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
215175 件
参考价
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| 零件号 | 品牌 | 描述 | 购买 |
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Microchip Technology |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 256BGA |