LND150N3-G-P003 数据表
规格 LND150N3-G-P003
零件号 : LND150N3-G-P003
制造商 : Microchip Technology
描述 : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 500V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 30mA (Tj)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 0V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
VGS（TH）（最大）标识 : -
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -
VGS（最大） : ±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 10pF @ 25V
FET特点 : Depletion Mode
功率耗散（最大） : 740mW (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : TO-92-3
封装/箱体 : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1194700 件
参考价
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