NSB8MTHE3_A/P 数据表
规格 NSB8MTHE3_A/P
零件号 : NSB8MTHE3_A/P
制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
系列 : Automotive, AEC-Q101
零件状态 : Active
二极管类型 : Standard
电压 - （Vr）（最大） : 1000V
电流 - 平均整流（Io） : 8A
电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 : 1.1V @ 8A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr） : -
电流 - Vr时反向漏电 : 10µA @ 1000V
电容@ Vr，F时 : 55pF @ 4V, 1MHz
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 : TO-263AB
工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
643550 件
参考价
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