NSBC115EPDXV6T1G 数据表
规格 NSBC115EPDXV6T1G
零件号 : NSBC115EPDXV6T1G
制造商 : ON Semiconductor
描述 : SS SOT563 RSTR XSTR TR
系列 : Automotive, AEC-Q101
零件状态 : Active
晶体管类型 : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 50V
电阻 - 基（R 1） : 100 kOhms
电阻器 - 发射极基极（R2） : 100 kOhms
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce饱和（最大）@ IB，IC : 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大） : 500nA
频率 - 转换 : -
功率 - 最大 : 357mW
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : SOT-563, SOT-666
供应商设备封装 : SOT-563
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
SS SOT563 RSTR XSTR TR
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
7008495 件
参考价
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