规格 NTD3808N-1G

零件号 : NTD3808N-1G
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 16V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 12A (Ta), 76A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 5.8 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 21nC @ 4.5V
VGS(最大) : ±16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1660pF @ 12V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : I-PAK
封装/箱体 : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
5632 件
参考价
USD 0
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