规格 PMDPB30XN,115

零件号 : PMDPB30XN,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 4A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 40 mOhm @ 3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识 : 900mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 21.7nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 660pF @ 10V
功率 - 最大 : 490mW
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装 : 6-HUSON-EP (2x2)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2517665 件
参考价
USD 0
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