RCD100N19TL 数据表
规格 RCD100N19TL
零件号 : RCD100N19TL
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 190V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 10A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 182 mOhm @ 5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 52nC @ 10V
VGS（最大） : ±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2000pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 850mW (Ta), 20W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : CPT3
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-RCD100N19TL
简要描述
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1012130 件
参考价
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