RN2111MFV,L3F 数据表
规格 RN2111MFV,L3F
零件号 :
RN2111MFV,L3F
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
系列 :
-
零件状态 :
Active
晶体管类型 :
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
50V
电阻 - 基（R 1） :
10 kOhms
电阻器 - 发射极基极（R2） :
-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce饱和（最大）@ IB，IC :
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大） :
100nA (ICBO)
频率 - 转换 :
-
功率 - 最大 :
150mW
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
SOT-723
供应商设备封装 :
VESM
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
14844670 件
参考价
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