RUS100N02TB 数据表
规格 RUS100N02TB
零件号 : RUS100N02TB
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 10A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 1.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 12 mOhm @ 10A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 24nC @ 4.5V
VGS（最大） : ±10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2250pF @ 10V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 2W (Ta)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 8-SOP
封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-RUS100N02TB
简要描述
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
554450 件
参考价
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