RW1A013ZPT2R 数据表
规格 RW1A013ZPT2R
零件号 :
RW1A013ZPT2R
制造商 :
Rohm Semiconductor
描述 :
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
系列 :
-
零件状态 :
Not For New Designs
FET型 :
P-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
12V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
1.5A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
1.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 :
1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
2.4nC @ 4.5V
VGS（最大） :
±10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
290pF @ 6V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
400mW (Ta)
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
6-WEMT
封装/箱体 :
SOT-563, SOT-666
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-RW1A013ZPT2R
简要描述
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3877655 件
参考价
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