SCT2H12NYTB 数据表
规格 SCT2H12NYTB
零件号 : SCT2H12NYTB
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压（Vdss） : 1700V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 4A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 18V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 410µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 14nC @ 18V
VGS（最大） : +22V, -6V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 184pF @ 800V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 44W (Tc)
工作温度 : 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-268
封装/箱体 : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-SCT2H12NYTB
简要描述
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
127010 件
参考价
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