SH8J66TB1 数据表
规格 SH8J66TB1
零件号 :
SH8J66TB1
制造商 :
Rohm Semiconductor
描述 :
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
2 P-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） :
30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
9A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
18.5 mOhm @ 9A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
35nC @ 5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
3000pF @ 10V
功率 - 最大 :
2W
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装 :
8-SOP
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-SH8J66TB1
简要描述
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
480590 件
参考价
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- 付款方式:
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