SI3900DV-T1-GE3 数据表
规格 SI3900DV-T1-GE3
零件号 :
SI3900DV-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
系列 :
TrenchFET®
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） :
20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
2A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 :
1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
4nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
-
功率 - 最大 :
830mW
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装 :
6-TSOP
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1018300 件
参考价
我们的价格
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