SI7617DN-T1-GE3 数据表
规格 SI7617DN-T1-GE3
零件号 : SI7617DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 35A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 59nC @ 10V
VGS（最大） : ±25V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1800pF @ 15V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8
封装/箱体 : PowerPAK® 1212-8
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1118135 件
参考价
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