SIHB22N65E-GE3 数据表
规格 SIHB22N65E-GE3
零件号 : SIHB22N65E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 650V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 22A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 180 mOhm @ 11A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 110nC @ 10V
VGS（最大） : ±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2415pF @ 100V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 227W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : D2PAK
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
87725 件
参考价
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