SISF00DN-T1-GE3 数据表
规格 SISF00DN-T1-GE3
零件号 : SISF00DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
系列 : TrenchFET® Gen IV
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 60A (Tc)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 5 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 53nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2700pF @ 15V
功率 - 最大 : 69.4W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : PowerPAK® 1212-8SCD
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8SCD
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
670410 件
参考价
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