SIZ918DT-T1-GE3 数据表
规格 SIZ918DT-T1-GE3
零件号 : SIZ918DT-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 16A, 28A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 12 mOhm @ 13.8A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 21nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 790pF @ 15V
功率 - 最大 : 29W, 100W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerWDFN
供应商设备封装 : 8-PowerPair® (6x5)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
792010 件
参考价
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