SPB18P06P 数据表
规格 SPB18P06P
零件号 : SPB18P06P
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
系列 : SIPMOS®
零件状态 : Obsolete
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 18.7A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 130 mOhm @ 13.2A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 28nC @ 10V
VGS（最大） : ±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 860pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 81.1W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : D²PAK (TO-263AB)
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-SPB18P06P
简要描述
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9094 件
参考价
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