SSM6N815R,LF 数据表
规格 SSM6N815R,LF
零件号 : SSM6N815R,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
系列 : U-MOSVIII-H
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate, 4V Drive
漏极至源极电压（Vdss） : 100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2A (Ta)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 103 mOhm @ 2A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 100µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 3.1nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 290pF @ 15V
功率 - 最大 : 1.8W (Ta)
工作温度 : 150°C
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-SMD, Flat Leads
供应商设备封装 : 6-TSOP-F
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-SSM6N815R,LF
简要描述
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3110115 件
参考价
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