STGP4M65DF2 数据表
规格 STGP4M65DF2
零件号 : STGP4M65DF2
制造商 : STMicroelectronics
描述 : IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
系列 : M
零件状态 : Active
IGBT类型 : Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 8A
电流 - 集电极脉冲（ICM） : 16A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大 : 68W
开关能量 : 40µJ (on), 136µJ (off)
输入类型 : Standard
栅极电荷 : 15.2nC
TD（开/关）@ 25℃ : 12ns/86ns
测试条件 : 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） : 133ns
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
封装/箱体 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220AB
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-STGP4M65DF2
简要描述
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
359690 件
参考价
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