STL9N65M2 数据表
规格 STL9N65M2
零件号 : STL9N65M2
制造商 : STMicroelectronics
描述 : MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : -
技术 : -
漏极至源极电压（Vdss） : -
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : -
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : -
VGS（TH）（最大）标识 : -
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -
VGS（最大） : -
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散（最大） : -
工作温度 : -
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : -
封装/箱体 : -
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-STL9N65M2
简要描述
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
505730 件
参考价
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