TK25N60X,S1F 数据表
规格 TK25N60X,S1F
零件号 : TK25N60X,S1F
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
系列 : DTMOSIV-H
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 25A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 125 mOhm @ 7.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 3.5V @ 1.2mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 40nC @ 10V
VGS（最大） : ±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2400pF @ 300V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 180W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : TO-247
封装/箱体 : TO-247-3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-TK25N60X,S1F
简要描述
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
109500 件
参考价
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