TP2635N3-G 数据表
规格 TP2635N3-G
零件号 :
TP2635N3-G
制造商 :
Microchip Technology
描述 :
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
P-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
350V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
180mA (Tj)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
2.5V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
15 Ohm @ 300mA, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
2V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
VGS（最大） :
±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
300pF @ 25V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
1W (Ta)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
TO-92-3
封装/箱体 :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-TP2635N3-G
简要描述
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
307635 件
参考价
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