规格 TPC8212-H(TE12LQ,M
零件号 : TPC8212-H(TE12LQ,M
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 6A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 21 mOhm @ 3A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.3V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 16nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 840pF @ 10V
功率 - 最大 : 450mW
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装 : 8-SOP (5.5x6.0)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
27342 件
参考价
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