UGB8JT-E3/81 数据表
规格 UGB8JT-E3/81
零件号 :
UGB8JT-E3/81
制造商 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
系列 :
-
零件状态 :
Active
二极管类型 :
Standard
电压 - （Vr）（最大） :
600V
电流 - 平均整流（Io） :
8A
电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 :
1.75V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr） :
50ns
电流 - Vr时反向漏电 :
30µA @ 600V
电容@ Vr，F时 :
-
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 :
TO-263AB
工作温度 - 结 :
-55°C ~ 150°C
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-UGB8JT-E3/81
简要描述
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
489260 件
参考价
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