BSM50GD120DN2BOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
5560 Pieces
参考价
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规格 BSM50GD120DN2BOSA1
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
BSM50GD120DN2BOSA1
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
系列 :
-
零件状态 :
Not For New Designs
IGBT类型 :
-
组态 :
Full Bridge
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
72A
功率 - 最大 :
350W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 :
3V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止（最大） :
1mA
输入电容（连锁商店）@的Vce :
3.3nF @ 25V
输入 :
Standard
NTC热敏电阻器 :
No
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Chassis Mount
封装/箱体 :
Module
供应商设备封装 :
Module
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 BSM50GD120DN2BOSA1
数据表 :
BSM50GD120DN2BOSA1.pdf
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