2N7636-GA 数据表
规格 2N7636-GA
零件号 : 2N7636-GA
制造商 : GeneSiC Semiconductor
描述 : TRANS SJT 650V 4A TO276
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : -
技术 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压（Vdss） : 650V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 4A (Tc) (165°C)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 415 mOhm @ 4A
VGS（TH）（最大）标识 : -
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -
VGS（最大） : -
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 324pF @ 35V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 125W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-276
封装/箱体 : TO-276AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-2N7636-GA
简要描述
TRANS SJT 650V 4A TO276
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
16504 件
参考价
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