2N7636-GA - TRANS SJT 650V 4A TO276

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
TRANS SJT 650V 4A TO276
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
16504 Pieces
参考价
USD 0
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规格 2N7636-GA

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : 2N7636-GA
制造商 : GeneSiC Semiconductor
描述 : TRANS SJT 650V 4A TO276
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : -
技术 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压(Vdss) : 650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 4A (Tc) (165°C)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : -
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 415 mOhm @ 4A
VGS(TH)(最大)标识 : -
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
VGS(最大) : -
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 324pF @ 35V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 125W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-276
封装/箱体 : TO-276AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : 2N7 , 2N76

文件 2N7636-GA

数据表 : 2N7636-GA.pdf

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