APT80SM120J 数据表
规格 APT80SM120J
零件号 : APT80SM120J
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : POWER MOSFET - SIC
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压（Vdss） : 1200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 51A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 20V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 55 mOhm @ 40A, 20V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 235nC @ 20V
VGS（最大） : +25V, -10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 273W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
供应商设备封装 : SOT-227
封装/箱体 : SOT-227-4, miniBLOC
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-APT80SM120J
简要描述
POWER MOSFET - SIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
23600 件
参考价
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