APT80SM120J - POWER MOSFET - SIC
制造商零件编号
内部零件号
AX-APT80SM120J
简要描述
POWER MOSFET - SIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
23600 Pieces
参考价
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规格 APT80SM120J
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
APT80SM120J
制造商 :
Microsemi Corporation
描述 :
POWER MOSFET - SIC
系列 :
-
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技术 :
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压（Vdss） :
1200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
51A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
20V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
55 mOhm @ 40A, 20V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
235nC @ 20V
VGS（最大） :
+25V, -10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
-
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
273W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Chassis Mount
供应商设备封装 :
SOT-227
封装/箱体 :
SOT-227-4, miniBLOC
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 APT80SM120J
数据表 :
APT80SM120J.pdf
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Vishay Beyschlag |
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