APT80SM120J - POWER MOSFET - SIC

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
POWER MOSFET - SIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
23600 Pieces
参考价
USD 0
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规格 APT80SM120J

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : APT80SM120J
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : POWER MOSFET - SIC
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压(Vdss) : 1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 51A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 20V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 55 mOhm @ 40A, 20V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 235nC @ 20V
VGS(最大) : +25V, -10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 273W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
供应商设备封装 : SOT-227
封装/箱体 : SOT-227-4, miniBLOC
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : APT , APT80

文件 APT80SM120J

数据表 : APT80SM120J.pdf

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