规格 CDBGBSC201200-G

零件号 : CDBGBSC201200-G
制造商 : Comchip Technology
描述 : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
系列 : -
零件状态 : Active
二极管配置 : 1 Pair Common Cathode
二极管类型 : Silicon Carbide Schottky
电压 - (Vr)(最大) : 1200V
电流 - 平均整流(Io)(每个二极管) : 25.9A (DC)
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果 : 1.8V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) : 0ns
电流 - Vr时反向漏电 : 100µA @ 1200V
工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C
安装类型 : Through Hole
封装/箱体 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
41328 件
参考价
USD 0
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